고전압 아키텍처용 블레이드 단자를 적용한 EV 견인 인버터용 적층 버스바.
Product imagery: factory photo plus studio renders. The exact geometry, layers and terminals of your part follow your drawing.
최종 값은 도면을 따릅니다 – 이것이 패밀리의 표준 구성입니다.
| Parameter | Value |
|---|---|
| ParameterValue | 도체C11000 동, 주석 도금 |
| 도체 레이어2–4 (전형) | 유전체PET / Nomex / 에폭시 (DLF), 전압 클래스에 따라 선택 |
| 단자블레이드 단자 | 전류 정격설계당, ~1000 A까지 |
| 가장자리 처리전체 가장자리 실링 | SKUSY-PE-213 |
Key characteristics of this product family.
고전압 아키텍처용 블레이드 단자가 있는 EV 견인 인버터용 적층 버스바.
400–800 V EV 아키텍처용 견인 인버터 버스바. 전체 가장자리 실링과 유전체 선택이 전압 클래스에 대해 지정되며, 블레이드 단자가 인버터 하우징 내부 전력 모듈 핀과 DC 링크 연결에 메이트합니다.
EV 견인 인버터는 400 V와 800 V 아키텍처를 커버하며, 유전체 클래스, 가장자리 마진, 버스바 내부 연면 거리는 더 높은 플랫폼 전압에 의해 설정됩니다. PET는 약 650 V 동작 아래 표준 선택입니다; Nomex 또는 에폭시 DLF는 800 V DC, 고고도, 오염도 3이 필요 공극을 밀어내는 곳에 지정됩니다. IEC 60664-1에 따른 연면과 공극에 대한 당사 공학 노트가 스페이싱이 어떻게 도출되는지를 보여줍니다.
이 적층의 블레이드 단자는 인버터 하우징 내부 전력 모듈 핀과 DC 링크 커패시터 레일에 직접 메이트합니다. 포지티브와 리턴 도체가 하나 본딩 스택에서 페이스투페이스로 달리므로, 커뮤테이션 루프 면적이 작게 머물고 표유 인덕턴스가 SiC와 빠른 IGBT 스테이지가 필요한 나노헨리 범위로 드롭됩니다. 원칙은 저인덕턴스 버스바 설계와 루프 레이아웃 가이드에 디테일드됩니다.
더 넓은 응용 컨텍스트에 대해, 견인 인버터 측은 인버터와 UPS 버스바 솔루션 하에 커버됩니다; 모듈 인터커넥트와 센스 탭이 사는 배터리 팩 측은 EV 배터리 팩 버스바 솔루션 하에 커버됩니다.
블레이드 치수는 귀사 커넥터 또는 모듈 데이터시트를 따르며, 당사는 접촉 면까지 단자를 완전 절연 유지하므로 조립체가 하우징 내부 다른 통전 부품에 가까이 앉을 수 있습니다. 견적을 요청할 때, 플랫폼 전압, 피크와 연속 전류, 모듈 핀 피치를 명시하세요; 당사는 스택업 추천과 확인을 위한 탭 형상을 반환합니다. 모든 배치는 당사의 문서화된 QC와 시험 프로세스를 통해 릴리스됩니다.
EV 인버터 버스바는 400–800 V 드라이브의 전체 견인 전류를 달리므로, 루프 인덕턴스 예산이 산업 빌드보다 타이트합니다: 수 추가 nH 오버슈트가 스위치를 절연 파괴 위로 밀 수 있습니다. 아래 값은 메인 드라이브의 상 레그를 급전하는 견인 인버터 적층 버스바에 대한 플래닝 추정치이며, 다른 링크 길이가 지정되지 않는 한 200 mm 링크를 가정합니다.
| 견인 레이아웃 | 커패시터 위치 | 링크 길이 (전형) | 인덕턴스 (플랜) | 800 V 스파이크 (플랜) |
|---|---|---|---|---|
| 모듈 옆 오픈 DC 바 | 레일 마운트, 100 mm 떨어짐 | 200 mm | 35–50 nH | ≈ 110–160 V |
| 페이스투페이스 DC 적층, 0.2 mm 갭 | 모듈 가장자리 위 | 200 mm | 9–14 nH | ≈ 25–42 V |
| 레그 위 커패시터 중심 샌드위치 | DC 탭 위에 앉음 | 140 mm | 5–9 nH | ≈ 15–28 V |
| 블레이드 단자 인버터 버스바, 핀 익시트 | 블레이드 위 필름 캡 | 110 mm | 4–7 nH | 빠른 에지에서 ≈ 12–22 V |
| 800 V EV 인버터 DC 링크, SiC 에지 마운트 | 모듈 블레이드 위 커패시터 | 90 mm | 3–6 nH | ≈ 10–20 V |
| 수랭 콜드 플레이트 위 SiC 상 레그 | 블레이드에 스택된 필름 캡 | 100 mm | 3–5 nH | 3 A/ns에서 ≈ 8–18 V |
| 800 V 부스트 스테이지, 냉각 플레이트 위 버스바 | 적층 가장자리 위 DC 캡 | 130 mm | 5–8 nH | ≈ 14–26 V |
이것은 주석 도금 C11000 스택에 대한 플래닝 추정치입니다; 스파이크 컬럼은 ΔV = L × di/dt를 따르며, 에지 레이트는 SiC 견인 모듈에 대해 3 A/ns 근처로 플래닝됩니다. 800 V에서 동일 nH 예산이 더 좁은 전압 마진으로 번역되므로, 페이스투페이스 라미네이션과 블레이드에 마운트된 커패시터가 옵션이 아니라 기본입니다. 저인덕턴스 버스바 설계 노트는 이 스케일 절차를 커버합니다. 800 V에서 연면과 공극 규칙은 또한 가장자리 실링과 유전체 선택을 더 높은 클래스로 밉니다.EV 드라이브 응용은 전형적 인클로저 컨스트레인트를 리스트합니다. 이것이 당사가 PET 대신 더 두꺼운 에폭시 필름 유전체(0.25–0.3 mm)를 지정하고 가장자리를 압력 기밀 비드로 실링하는 이유입니다. 냉각 접촉 면 주석 도금은 타이트한 두께 윈도우에 보유되어 열 인터페이스가 예측 가능하게 머물도록 하며, 적층 주위 마운팅 스터드는 모듈 단독이 아니라 콜드 플레이트 볼트 패턴에 스페이싱됩니다. SiC 메인 드라이브에 대해, 더 빠른 에지 레이트는 또한 필름 커패시터의 리플 전류 정격을 밀어내므로, 탭 단면은 동일 전류의 IGBT 레그와 비교하여 약 20% 업사이징됩니다.
견인 인버터 적층 버스바는 메인 드라이브 인버터에 사용되는 고전류 패키지 패밀리에 단자됩니다. 아래 테이블은 당사가 툴링을 오픈하는 견인 패키지 패밀리를 수집하며, 400–800 V 메인 드라이브 빌드에 대해 가장 흔히 지정되는 단자 패턴과 함께; 탭 단면은 견인 듀티에 대해 1.2 A/mm² 연속 근처로 플래닝됩니다.
| 모듈 패키지 패밀리 | 단자 패턴 | 당사가 툴링하는 블레이드/탭 사양 | 견인 용도 |
|---|---|---|---|
| PrimePACK 2 | 나사 단자, 고전류 | 800 A 위 M8 블레이드 세트 | 메인 EV와 하이브리드 드라이브 |
| HP3 | 프레스 핏 DC와 AC 핀 | 핀 그리드 블레이드 세트 | 고밀도 견인 인버터 |
| flow S3 | 나사 또는 핀 단자 | 12–20 mm 피치 M5 블레이드 | 보조 및 컴팩트 드라이브 |
| SEMiX 6aP | 나사 버스바 익시트 | 고객 도면으로 벤드 블레이드 | 메인과 보조 견인 |
| SKiM 105 | 통합 버스바 스터드 | 스터드 레이아웃으로 커스텀 블레이드 | 메인 컨버터와 보조 |
| 48 mm 고전류 풋프린트 | DC+ / DC− / AC 러그 | M6 블레이드, 단측 익시트 | 컴팩트 800 V 인버터 |
모듈 데이터시트를 인버터 하우징 도면과 함께 견적하세요; DFM 단계는 둘에 대해 블레이드 폭, 피치, 스탠드오프 높이를 록합니다. 800 V EV 인버터 DC 링크는 추가로 당사의 연면과 공극 설계 노트에 커버된 연면과 공극 체크를 필요로 하며, EV 드라이브 응용 페이지는 전형적 인클로저 컨스트레인트를 리스트. 블레이드 마운팅 홀은 인버터 하우징 패턴에 스페이싱되며, 스탠드오프 높이는 전형적으로 ±0.2 mm로 홀드되어 블레이드가 모듈 핀에 플러시 시트합니다. 블레이드 접촉 면 주석 도금은 EV 듀티에 표준이며, 은은 요청 시 제공됩니다.
Where this busbar configuration earns its place.
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Your drawings reach the engineers who build the part.
Design risks flagged when changes are cheap.
Test records per lot, CoC and PPAP on request.
Drawing to delivered production parts, one supplier.
사양 검토에서 출하·검증된 부품까지 – 한 곳에서 책임지는 공급업체.
엔지니어링 팀의 명확한 답변.
모든 SHANYUAN 버스바는 맞춤이지만, 그것이 연결하는 전력 회로는 시장 전반에서 반복됩니다. 대표 3가지 — 귀하의 회로를 보내주시면 적층 구조를 안내해 드립니다.
배터리원과 구동 인버터 사이의 타이트한 저인덕턴스 링크, 400–800 V 플랫폼용 전체 가장자리 실링.
DC-link 커패시터 뱅크에서 IGBT 브리지로의 전류 정류 루프 연결, 스위칭 과도 전압 V = L × di/dt 에 맞춰 설계.
1500 VDC를 향해 상승하는 버스 전압용 컨버터 DC 링크, 연면 거리와 부분방전 마진 포함.
