위상 다리용 탭 단자를 맞춘 IGBT 파워 모듈용 적층 버스바 세트.
Product imagery: factory photo plus studio renders. The exact geometry, layers and terminals of your part follow your drawing.
최종 값은 도면을 따릅니다 – 이것이 패밀리의 표준 구성입니다.
| Parameter | Value |
|---|---|
| ParameterValue | 도체C11000 동, 주석 도금 |
| 도체 레이어2–3 (전형) | 유전체PET / Nomex / 에폭시 (DLF), 전압 클래스에 따라 선택 |
| 단자모듈 핀 피치에 매치된 블레이드 탭 | 전류 정격설계당, ~1000 A까지 |
| 가장자리 처리전체 가장자리 실링 | SKUSY-PE-209 |
Key characteristics of this product family.
상 레그에 매치된 탭 단자가 있는 IGBT 전력 모듈용 적층 버스바 세트.
IGBT 전력 모듈의 상 레그용 매치드 버스바 세트. 두 적층이 함께 툴링되어 탭 피치가 모듈 핀 형상과 정확히 매치되며, 적층 구조가 루프 인덕턴스를 충분히 낮게 유지하여 디바이스 전반 스위칭 오버슈트를 제한합니다.
IGBT 모듈 버스바 세트는 탭 피치가 모듈 핀 형상과 정확히 매치되도록 함께 툴링된 2-3 적층입니다. 세트가 동일 툴링 런에서 커팅되므로, DC 링크 적층과 상 레그 적층이 첫 조립에서 핀에 라인업되며, 재작업, 심, 벤드 탭 없이. 모듈 데이터시트 또는 핀 도면을 보내세요, 당사가 견적 전 탭 피치, 두께, 스탠드오프 높이를 확인하겠습니다.
적층 구조는 루프 인덕턴스를 충분히 낮게 유지하여 IGBT 전반 스위칭 오버슈트를 제한합니다 — SiC 모듈과 함께 마진은 더 타이트합니다. 저인덕턴스 플레인 설계와 SiC 레이아웃 규칙에 대한 당사 노트는 당사가 사용하는 경험적 스케일링을 설명합니다. 매치드 세트는 3상 인버터 브릿지, 용접 전원, 산업 드라이브에서 흔하며, 모터 드라이브와 VFD 버스바 솔루션 하에 커버됩니다.
모든 세트는 매치드 페어로 출하며, 완성된 가장자리 실링 부품의 유전 내전과 절연 저항을 포함하여 당사의 품질과 시험 프로세스의 배치 기록과 함께. 귀사 모듈에 대해 세트를 치수 계산하려면, 견적을 위해 모듈 데이터시트 또는 핀 도면을 보내세요.
IGBT 모듈 버스바는 보통 매치드 세트로 공급됩니다: DC+와 DC− 적층이 함께 툴링되어 탭 피치가 상 레그의 모듈 핀 필드에 라인업됩니다. 그 매치드 세트의 루프 인덕턴스가 스위칭 오버슈트가 모듈 절연 파괴 전압 내에 머무르는지를 결정합니다. 아래 값은 페어 상 레그 조립체에 대한 플래닝 추정치이며, 다른 레그 길이가 콜아웃되지 않는 한 220 mm 레그를 가정합니다.
| 매치드 스택 구성 | 커패시터 위치 | 레그 길이 (전형) | 인덕턴스 (전형) | 800 V 레일 스파이크 |
|---|---|---|---|---|
| 모듈 핀에 단일 DC 바 | DC 레일에 리모트 | 220 mm | 40–55 nH | ≈ 120–170 V |
| 페어 DC+/DC− 적층, 0.3 mm 갭 | 모듈 가장자리 | 220 mm | 10–15 nH | ≈ 28–45 V |
| 3 레그 스택 세트, 공통 리턴 | 레일 끝 | 180 mm | 8–13 nH | ≈ 22–38 V |
| SiC 인버터 버스바 세트, 블레이드에 캡 마운트 | 블레이드 위 커패시터 | 120 mm | 4–8 nH | 더 빠른 에지에서 ≈ 12–28 V |
| DC 링크 + 상 레그 스택, 통합 | DC와 상 레이어 사이 | 150 mm | 6–10 nH | ≈ 18–32 V |
이것은 PET 또는 Nomex 유전체가 있는 C11000 2-3 레이어 적층에 대한 플래닝 추정치입니다; 스파이크 컬럼은 ΔV = L × di/dt를 따르며, 에지 레이트는 산업용 IGBT 레그에 대해 1.5-2.5 A/ns 사이로 플래닝됩니다. IGBT 전력 모듈 적층은 모듈 데이터시트 핀 필드에서 견적되며, 탭 피치가 그 필드에 하드 록되기 때문입니다. 저인덕턴스 버스바 설계 노트는 매치드 세트가 두 개 루스 바를 이기는 이유를 커버하며, SiC와 IGBT DC 링크 관행 노트는 더 빠른 에지 케이스를 논의합니다.
IGBT 모듈 버스바 세트가 특정 상 레그의 핀 필드에 툴링되므로, 패키지 패밀리가 탭 피치, 스터드 사이즈, 스탠드오프 높이를 결정합니다. 아래 리스트는 당사가 툴링을 오픈하는 상 레그 패키지 패밀이며, 매치드 DC + 상 레그 스택에 대해 가장 흔히 지정되는 단자 패턴과 함께; 탭 전류 밀도는 연속 듀티에 대해 1.0 A/mm² 근처로 플래닝됩니다.
| 모듈 패키지 패밀리 | 핀/단자 패턴 | 당사가 툴링하는 탭 사양 | 전형적 컨버터 용도 |
|---|---|---|---|
| EconoDUAL 5 (1200–2300 V) | DC1 / DC2 / AC 나사 러그 | M6 탭, 18–28 mm 피치 | 산업 드라이브와 PCS 프론트 엔드 |
| 62 mm 나사 러그 풋프린트 | DC+ / DC− / AC 러그 | M6–M8 블레이드, 단측 익시트 | 모터 드라이브와 UPS 링크 |
| PrimePACK 3 | 나사 또는 프레스인 단자 | 1000 A 위 고전류 블레이드 세트 | 견인과 풍력 컨버터 |
| SEMiX 4 | 스프링 또는 나사 단자 | M5–M6 블레이드, 로프로파일 | 재생과 산업 스택 |
| SKiM 93 | 통합 버스바 스터드 | 스터드 도면으로 커스텀 블레이드 | 견인 보조와 메인 인버터 |
| 6-Pack STACK 모듈 | DC ±와 AC 블레이드 | 단일 적층에 멀티탭 블레이드 세트 | ESS PCS와 3상 드라이브 |
RFQ와 함께 모듈 데이터시트를 제공하세요; DFM 단계는 그 도면에 대해 탭 폭, 피치, 스탠드오프 높이를 록합니다. DC 링크 + 상 레그 스택은 하나의 매치드 세트로 툴링되어 두 적층이 동일 핀 필드에 레지스터에 머무릅니다. 탭 접촉 면 도금은 표준 주석이며, 매치드 세트는 전형적으로 모듈 핀 필드에 대한 첫 번째 부품 치수 체크와 함께 릴리스됩니다. 커스텀 설계 프로세스 페이지는 리뷰 사이클을 설명하며, DFM 체크리스트는 당사가 기대하는 도면을 리스트합니다.
Where this busbar configuration earns its place.
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Your drawings reach the engineers who build the part.
Design risks flagged when changes are cheap.
Test records per lot, CoC and PPAP on request.
Drawing to delivered production parts, one supplier.
사양 검토에서 출하·검증된 부품까지 – 한 곳에서 책임지는 공급업체.
엔지니어링 팀의 명확한 답변.
모든 SHANYUAN 버스바는 맞춤이지만, 그것이 연결하는 전력 회로는 시장 전반에서 반복됩니다. 대표 3가지 — 귀하의 회로를 보내주시면 적층 구조를 안내해 드립니다.
배터리원과 구동 인버터 사이의 타이트한 저인덕턴스 링크, 400–800 V 플랫폼용 전체 가장자리 실링.
DC-link 커패시터 뱅크에서 IGBT 브리지로의 전류 정류 루프 연결, 스위칭 과도 전압 V = L × di/dt 에 맞춰 설계.
1500 VDC를 향해 상승하는 버스 전압용 컨버터 DC 링크, 연면 거리와 부분방전 마진 포함.
