Juego de barras para módulo IGBT

Un juego de barras para módulo IGBT son dos o tres laminados utillados juntos para que el paso de las palas coincida exactamente con la geometría de pines del módulo. Dado que el juego se corta de la misma serie de utillaje, el laminado del enlace DC y el del brazo de fase se alinean con los pines en el primer montaje, sin reprocesado, calzas ni palas dobladas. Envíenos la hoja de datos del módulo o el plano de pines y confirmaremos el paso de pala, el grosor y la altura de resalte antes de cotizar.

La construcción laminada mantiene la inductancia de espira lo bastante baja como para limitar la sobretensión de conmutación entre los IGBT; con módulos SiC el margen es aún más estrecho. Nuestra nota sobre diseño de planos de baja inductancia y reglas de disposición SiC explica el escalado empírico que empleamos. El juego emparejado es habitual en puentes de inversor trifásico, fuentes de soldadura y accionamientos industriales recogidos en soluciones de barras para accionamientos y VFD.

• Enlace DC y brazos de fase en un único apilado emparejado
• Palas emparejadas al paso de pines del módulo
• Clase dieléctrica fijada por la tensión del enlace DC

Cada juego se envía como pareja emparejada con los registros de lote de nuestro proceso de calidad y ensayos, incluidos los ensayos de rigidez dieléctrica y resistencia de aislamiento sobre las piezas finales con bordes sellados. Para dimensionar un juego para su módulo, envíenos la hoja de datos del módulo o el plano de pines para una cotización.

Una barra para módulo IGBT se suministra habitualmente como juego emparejado: los laminados DC+ y DC− utillados juntos para que el paso de las palas se alinee con el campo de pines del módulo en el brazo de fase. La inductancia de espira de ese juego emparejado es lo que decide si la sobretensión de conmutación se mantiene dentro de la tensión de ruptura del módulo. Los valores siguientes son estimaciones de planificación para un ensamblaje de brazo de fase pareado, suponiendo un brazo de 220 mm salvo que se indique otra longitud.

Estas son estimaciones de planificación para un laminado C11000 de dos o tres capas con dieléctrico PET o Nomex; la columna de pico sigue ΔV = L × di/dt con la pendiente de flanco planificada entre 1,5 y 2,5 A/ns para brazos IGBT industriales. Un laminado para módulo de potencia IGBT se cotiza a partir del campo de pines de la hoja de datos del módulo, porque el paso de pala queda bloqueado rígidamente a ese campo. Las notas de diseño de baja inductancia explican por qué un juego emparejado supera a dos barras sueltas, y la nota de práctica de enlaces DC SiC e IGBT trata el caso de flanco más rápido.

Dado que un juego de barras para módulo IGBT se utilla para el campo de pines de un brazo de fase concreto, la familia de paquete decide el paso de pala, el tamaño de espiga y la altura de resalte. La lista siguiente recoge las familias de paquete de brazo de fase para las que abrimos utillaje, con los patrones de terminal más especificados en apilados emparejados de DC más brazo de fase; la densidad de corriente en la pala se planifica cerca de 1,0 A/mm² en servicio continuo.

Facilite la hoja de datos del módulo con su RFQ; la fase DFM fija el ancho de pala, el paso y la altura de resalte frente a ese plano. Un enlace DC más brazo de fase se utilla como un único juego emparejado para que los dos laminados permanezcan registrados sobre el mismo campo de pines. El estañado de la cara de contacto de la pala es estaño como estándar, y un juego emparejado se libera típicamente con una verificación dimensional de primera pieza frente al campo de pines del módulo. La página del proceso de diseño a medida describe el ciclo de revisión, y la lista de verificación DFM recoge los planos que esperamos.