Barra laminata in rame multistrato con film dielettrici sottili per distribuzione di potenza a bassa induttanza.
Product imagery: factory photo plus studio renders. The exact geometry, layers and terminals of your part follow your drawing.
I valori finali seguono il vostro disegno: questa è la configurazione standard della famiglia.
| Parameter | Value |
|---|---|
| Conductor | C11000 copper, tin plated |
| Conductor layers | 1–6+ (custom) |
| Dielectric | PET / Nomex / epoxy (DLF) |
| Terminals | Per drawing |
| Current rating | Up to ~1000 A |
| Edge treatment | Full edge sealing |
| SKU | SY-CM-301 |
Key characteristics of this product family.
Barra laminata in rame multistrato con film dielettrici sottili per distribuzione di potenza a bassa induttanza.
Una barra collettrice laminata impila conduttori in rame con film dielettrici sottili tra di essi e incolla lo stack a caldo e a pressione. Poiché gli strati adiacenti trasportano corrente in direzioni opposte, i campi magnetici si annullano e l'induttanza parassita scende alla gamma dei nanohenry che i circuiti IGBT e SiC veloci richiedono. Il principio e le regole di scaling sono dettagliati nella nostra guida su progetto di barre a bassa induttanza; la costruzione passo passo è illustrata nella guida alla progettazione delle barre laminate.
Correlato: la guida ingegneristica completa della barra laminata in rame.
La scelta del film media classe di temperatura, rigidità dielettrica e costo. Le opzioni di materiale che teniamo a magazzino sono elencate nella nostra pagina dei film isolanti; il confronto diretto è nella nostra nota su dielettrici PET, Nomex ed epossidici DLF. Uno strato di raffreddamento liquido in alluminio con canali interni può essere incollato nello stesso stack, trasformando la barra in una piastra fredda; vedere la gestione termica delle barre collettrici.
Dielettrico e spaziatura sono selezionati rispetto alla tensione di piattaforma, al profilo di corrente e alla temperatura di esercizio. Inviate il disegno o la specifica elettrica per una verifica DFM attraverso il nostro servizio di progettazione custom; rispondiamo entro un giorno lavorativo.
Ogni barra laminata multistrato che spediamo parte da tempra del conduttore e gradi del film definiti piuttosto che da nastro di rame generico, perché lo stack-up è dimensionato da quei due soli dati. La tabella seguente elenca i valori tipici pubblicati alla base del nostro report materiale per lo strato standard in rame C11000 e i due dielettrici a film più spesso selezionati; certificati di collaudo di lotto che coprono chimica del conduttore, tempra e rigidità dielettrica del film sono rilasciati su richiesta.
| Materiale dello strato | Valore tipico di proprietà | Nota DFM |
|---|---|---|
| Lega / tempra del conduttore | Nastro C11000-H semi-duro | Grado elettrico standard per strati laminati incisi |
| Conducibilità | 100–101% IACS | Base per la sezione di ogni strato |
| Densità | 8,89 g/cm³ | Stima della massa dello stack per strato aggiuntivo |
| Resistenza a trazione (tempra H) | 250–300 MPa | Sopravvive alla pressa di laminazione a temperatura |
| Coefficiente di dilatazione termica | 17,7 × 10⁻⁶ /K | Abbinato al film per ridurre la sollecitazione da delaminazione |
| Limite continuo del conduttore | Limite di progetto 130 °C, tipico | Rimane sotto il punto di rammollimento del film |
| Film dielettrico PET | 130 °C, 0,10–0,25 mm di spessore | Distribuzione di potenza dielettrica sottile general-purpose |
| Film Nomex / aramide | 220 °C, 0,13–0,38 mm di spessore | Servizio inverter a temperatura più elevata |
| Trattamento superficiale | Stagnato, 3–8 µm | Faccie di contatto e bordi tagliati esposti |
| Dichiarazione di conformità | RoHS / REACH baseline sul prodotto spedito; infiammabilità UL 94 V-0 dove si applicano parti isolanti | Nota a livello di materiale secondo la nostra politica qualità |
Questi valori sono dati ingegneristici di livello pianificazione; la coppia finale di tempra e film è bloccata in sede di DFM una volta note la frequenza di commutazione e l'ambiente. Poiché un laminato multistrato a bassa induttanza è buono quanto la sua linea di incollaggio, verifichiamo la resistenza di incollaggio e la tenuta dielettrica per lotto piuttosto che per dichiarazione: dettagli nel nostro processo qualità e di rilascio. Per i convertitori a raffreddamento liquido lo strato di raffreddamento è elencato nel report come voce aggiuntiva: piastra a canali in alluminio nichelato.
La maggior parte delle richieste parte da un elenco di switch piuttosto che da un disegno, quindi il percorso breve di seguito vi porta dal punto di servizio alla proposta di stack senza avanti e indietro.
| Opzione di stack (2–4 strati) | Spessore film, tipico | Induttanza di anello tipica | Servizio più adatto |
|---|---|---|---|
| 2 strati, sfalsato aperto | 0,18 mm PET | 35–50 nH | Raddrizzatori a diodi, stadi IGBT lenti |
| 2 strati face-to-face | 0,13 mm PET | 15–25 nH | Inverter IGBT standard 1200 V |
| 3 strati sandwich fase / ± | 0,10 mm PET | 8–15 nH | Stadi SiC di trazione e ricarica rapida |
| 4 strati con piastra di raffreddamento | 0,13 mm Nomex | 6–12 nH | Convertitori ad alta densità a raffreddamento liquido |
I numeri assumono un anello di 300–400 mm; percorsi più corti scendono proporzionalmente. Le regole dell'area di anello dietro di essi sono spiegate nelle nostre note di progetto a bassa induttanza, e dove lo spazio è stretto il fattore limitante è di solito il margine di scarica parziale piuttosto che l'area in rame. Quando l'anello trasporta anche strati di sensing o di segnale, quei conduttori siedono sui piani più esterni con la stessa specifica del film, così il blocco finito arriva pronto da imbullonare senza ulteriore assemblaggio. Poiché il dielettrico è così sottile, la linea di incollaggio deve rimanere priva di vuoti: la sezione trasversale di ogni lotto è sezionata a campione e controllata al microscopio prima del rilascio.
Your drawings reach the engineers who build the part.
Design risks flagged when changes are cheap.
Test records per lot, CoC and PPAP on request.
Drawing to delivered production parts, one supplier.
Dalla revisione della specifica a componenti spediti e testati: un fornitore responsabile.
Risposte dirette dal team di ingegneria.
Ogni barra SHANYUAN è custom, ma i circuiti di potenza che collega si ripetono in tutti i mercati. Tre esempi tipici — inviateci il vostro e vi indicheremo il giusto stack-up.
Collegamenti stretti a bassa induttanza tra la sorgente batteria e gli inverter di trazione, con bordi completamente sigillati per piattaforme 400–800 V.
Collegamenti del ciclo di commutazione dai condensatori DC-link ai ponti IGBT, progettati contro la sovraelongazione di commutazione V = L × di/dt.
Collegamenti DC di convertitori costruiti per tensioni di bus crescenti verso 1500 VDC, con margini di creepage e scariche parziali inclusi.
Costruzione, scelta dielettrica e basi di capacità.
Leggi la guida di progettazioneStrati, terminali, dielettrici e montaggio sono tutti configurabili. Inviateci la vostra specifica per una revisione DFM e un'offerta entro un giorno lavorativo.
