低インダクタンス配電向け、薄い誘電体フィルムを挟んだ多層銅積層バスバー。

Product imagery: factory photo plus studio renders. The exact geometry, layers and terminals of your part follow your drawing.
最終値は図面に従います – これはファミリーの標準構成です。
| Parameter | Value |
|---|---|
| Conductor | C11000 copper, tin plated |
| Conductor layers | 1–6+ (custom) |
| Dielectric | PET / Nomex / epoxy (DLF) |
| Terminals | Per drawing |
| Current rating | Up to ~1000 A |
| Edge treatment | Full edge sealing |
| SKU | SY-CM-301 |
Key characteristics of this product family.

低インダクタンス配電向け、薄い誘電体フィルムを挟んだ多層銅積層バスバー。
積層バスバーは、銅導体の間に薄い誘電体フィルムを挟み、熱と圧力でスタックを接着します。隣り合う層が逆向きに電流を担うため磁界が打ち消し合い、浮遊インダクタンスは高速 IGBT や SiC 回路が必要とするナノヘンリ領域まで下がります。その原理とscaling則は低インダクタンスバスバー設計ガイドに詳述し、構成の積み上げは積層バスバー設計ガイドで解説します。
関連: 銅積層バスバーの完全な設計ガイド。
フィルム選定は、温度クラス、絶縁耐力、コストのトレードオフです。当社が在庫する材料の選択肢は絶縁フィルムのページに、直接比較はPET、Nomex、DLFエポキシ誘電体のノートにあります。内部流路を持つアルミ液冷層を同一スタックに接着し、バスバーをコールドプレート化できます。バスバーの熱管理をご覧ください。
誘電体と間隔は、プラットフォーム電圧、電流プロファイル、使用温度に対して選定します。図面または電気仕様を、カスタム設計サービスを通じてDFMレビューにお送りください。1営業日以内に回答します。
出荷する多層積層バスバーはすべて、汎用の銅板ではなく定義された導体調質とフィルムグレードから始まります。スタックはその2つのデータ点だけで寸法決定されるためです。下の表は、標準 C11000 銅層と最も多く選ばれる2つのフィルム誘電体について、当社の材料レポートの背後にある代表的な公表値を挙げています。導体の化学成分、調質、フィルム絶縁耐力をカバーするロットミルシートはご要望に応じて発行します。
| 層材料 | 代表特性値 | DFMメモ |
|---|---|---|
| 導体合金/調質 | C11000-H 半硬質条 | エッチング積層層向け標準電気グレード |
| 導電率 | 100–101% IACS | 各層断面の基準 |
| 密度 | 8.89 g/cm³ | 層追加ごとのスタック質量見積り |
| 引張強さ(H調質) | 250–300 MPa | 高温下の積層プレスに耐える |
| 線膨張係数 | 17.7 × 10⁻⁶ /K | フィルムと整合させ層間剥離応力を低減 |
| 導体連続温度限度 | 設計上限130 °C(標準) | フィルム軟化点未満を維持 |
| PET誘電体フィルム | 130 °C、厚さ0.10–0.25 mm | 汎用・薄型誘電体配電 |
| Nomex/アラミドフィルム | 220 °C、厚さ0.13–0.38 mm | 高温インバータ用途 |
| 表面処理 | すずめっき 3–8 µm | 接触面と露出した切断端面 |
| 適合声明 | 出荷製品はRoHS/REACH基準。絶縁部品該当箇所はUL 94 V-0難燃 | 品質方針に基づく材料レベルの注記 |
これらは計画グレードの工学値です。最終的な調質とフィルムの組合せは、お客様のスイッチング周波数と周囲温度が判明した時点でDFMレビューにて固定します。低インダクタンス多層積層体は接着ラインの品質で決まるため、当社は主張ではなくロットごとに接着強度と絶縁耐力を検証します――詳細は品質・出荷工程をご覧ください。液冷コンバータ向けには、冷却層がニッケルめっきアルミ流路基板としてレポートの追加項目に記載されます。
引合いの多くは図面ではなくスイッチリストから始まります。そこで下記の短い経路で、やり取りなしに稼働点からスタック提案へ到達できます。
| スタック選択(2〜4層) | フィルム厚さ(標準) | 代表ループインダクタンス | 最適な用途 |
|---|---|---|---|
| 2層・オープンオフセット | 0.18 mm PET | 35–50 nH | ダイオード整流器、低速 IGBT 段 |
| 2層・面合わせ | 0.13 mm PET | 15–25 nH | 標準1200 V IGBTインバータ |
| 3層・相/±サンドイッチ | 0.10 mm PET | 8–15 nH | SiC牽引・急速充電段 |
| 冷却板付き4層 | 0.13 mm Nomex | 6–12 nH | 液冷高密度コンバータ |
これらはループ長300〜400 mmを想定した値で、走行長が短いほど比例して下がります。背後のループ面積ルールは低インダクタンス設計ノートで説明し、スペースが厳しい箇所では制約要因は銅断面ではなく部分放電余裕であることが普通です。ループにセンス層や信号層を含む場合、それらの導体は同じフィルム仕様で最外層に配置され、完成ブロックは追加組立なしでそのままボルト固定できます。誘電体が非常に薄いため接着ラインにボイドがあってはならず、各ロットの断面はスポット切断され、拡大観察のうえ出荷します。
Your drawings reach the engineers who build the part.
Design risks flagged when changes are cheap.
Test records per lot, CoC and PPAP on request.
Drawing to delivered production parts, one supplier.
仕様レビューから出荷・試験済み部品まで – 一貫して責任を持つ供給元。
エンジニアリングチームによる明確な回答。
Every SHANYUAN busbar is custom, but the power circuits they connect recur across markets. Three typical ones — send us yours and we will point to the right stack-up.
Tight, low-inductance links between the battery source and traction inverters, fully edge-sealed for 400–800 V platforms.
Commutation-loop connections from DC-link capacitors to IGBT bridges, designed against switching overshoot V = L × di/dt.
Converter DC links built for rising bus voltages toward 1500 VDC, with creepage and partial-discharge margins included.
Layers, terminals, dielectrics and mounting are all configurable. Send us your spec for DFM review and a quotation within one business day.